我院魏晓辉教授指导的2021级博士研究生王晓楠的论文“FR2eRAM: A Fault-Resilient Graph Processing Paradigm in Realistic ReRAMs”被CCF A类期刊IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits And System （TCAD）接收。论文第一作者为2021级博士生王晓楠，通信作者为魏晓辉教授和学院准聘副教授岳恒山，其他合作者包括2023级硕士研究生李宗典、2022级硕士研究生邓加国等。

随着现代图数据的爆炸式增长，基于ReRAM的图计算加速器正成为解决“内存墙”瓶颈的有效解决方案。然而，现有方案往往依赖于过于理想化的ReRAM架构，忽视了由于ReRAM设备不成熟的制造工艺以及其模拟计算特性而导致的各种硬件非理想特性的关键影响。该论文关注ReRAM图加速器面临的可靠性问题，首先开发了一个微架构级的故障注入框架ReGFI，它将硬件故障精确地映射到微架构执行工作流中，以有效地表征故障对图计算任务正确性的影响。基于ReGFI的观察，进一步提出反转映射机制和鲁棒编码设计来实现可靠的ReRAM图计算。实验结果表明FR2eRAM能够减少88.84%的图计算输出错误，同时仅引入可忽略的性能和能耗开销。

IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits And System （TCAD）是计算机体系结构国际顶级期刊，为CCF推荐A类期刊。